产品核心优势

1. 广泛的材料适用性

CVP21能够测量几乎所有类型的半导体材料，是研究新材料或多种材料体系的理想工具：


-   IV族半导体：硅（Si）、锗（Ge）、碳化硅（SiC）
-   III-V族化合物：砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）、磷化镓（GaP）
-   多元III-V族合金：
    -   三元系：铝镓砷（AlGaAs）、镓铟磷（GaInP）、铝铟砷（AlInAs）
    -   四元系：铝镓铟磷（AlGaInP）
-   氮化物半导体：氮化镓（GaN）、铝镓氮（AlGaN）、铟镓氮（InGaN）、铝铟氮（AlInN）
-   II-VI族半导体：氧化锌（ZnO）、碲化镉（CdTe）、碲镉汞（HgCdTe / MCT）
-   其他特殊半导体材料

 2. 灵活的样品兼容性
无论是小尺寸的实验片，还是大尺寸的生产晶圆，CVP21都能轻松应对。


-   叠层结构：可轻松测量不同材料、不同掺杂浓度及类型的多层结构。
-   衬底类型：对衬底无特殊要求，既适用于导电衬底，也适用于绝缘衬底上的外延层。
-   样品尺寸：标准测量范围覆盖从 4×2 mm² 的小片到完整的 8英寸（200mm）晶圆，并可定制以支持更小尺寸的样品。


3. 超宽的测量范围
-   掺杂浓度范围：可测量的载流子浓度跨越超过10个数量级，从 < 10¹² cm⁻³ 到 > 10²¹ cm⁻³。
-   深度分辨率：具有原子层级的深度分辨率，最低可达 1 nm，最大测量深度可至 100 µm。
*（注：实际可达到的精度和范围可能因材料类型和样品质量而异，欢迎咨询进行样品实测。）

 4. 高度集成与自动化
CVP21将复杂的测量过程高度集成，提供一键式的全自动解决方案。


-   高可靠性系统设计：其电子、机械、光学及流体系统均经过特殊设计与优化，确保长期稳定运行。
-   免校准操作：内置完整的自校准电子系统，用户无需手动校准线缆电容，即开即用。
-   智能软件控制：
    -   操作简便：优化的软件界面和用户权限管理，完美适应生产和研发环境。
    -   在线监控：内置彩色相机实时监控测量过程，每次测量后自动生成图像序列，便于追溯。
    -   预设配方：提供预设的测量配方，高权限用户可根据需要灵活修改和优化。
    -  晶圆步进测试：可选配高精度步进平台，实现8英寸晶圆上的多点全自动测量。
-   “干进干出”流程：电化学池的装载、卸载和再装载过程全自动完成，确保样品在整个测试过程中保持干燥，避免污染。


技术规格与配置

 基础技术参数
-   载流子浓度测量范围：10¹¹ ~ 10²¹ cm⁻³
-   深度分辨率：低至 1 nm
-   最大样品尺寸：8英寸（200mm）晶圆

物理配置与安装要求

-   设备配置：
    -   台式机型：主机尺寸（宽x深）为 60 x 80 cm，需另预留空间放置PC、显示器、键盘及废液容器。
    -   空间优化设计：也可采用紧凑型设计，最大限度减少在洁净室内的占地面积。
-   安装环境要求：
    -   气体：氮气或干燥空气，压力 2~5 bar，管路接口（内径4mm/外径6mm），用于测试后自动干燥样品。
    -   排气：需配备排气装置，管路接口 3/4 英寸，用于处理有异味的电解液（如铵基电解液）。
    -   真空：真空度约 0.2 bar，管路接口（内径4mm/外径6mm），用于吸附固定大尺寸晶圆。
    -   电源：230V（-15% / +10%），50–60Hz，500–1000VA（可选配100V/110V）。


 典型应用场景


-   外延工艺控制与评估：精确测量外延层的掺杂浓度和厚度分布。
-  离子注入与退火工艺分析：评估注入杂质的激活浓度和分布轮廓。
-   扩散工艺监控：测量扩散层的掺杂深度和浓度梯度。
-  新材料研发：如GaN、SiC等宽禁带半导体材料的掺杂特性研究。
-   光电化学刻蚀（PEC）工艺开发：利用其精确的刻蚀控制能力，开发和优化PEC刻蚀工艺。