品牌介绍

2004 年创立于法国蒙彼利埃的 ANNEALSYS，专注材料处理设备研发制造，在半导体、纳米技术领域颇负盛名。公司主攻快速热加工（RTP）与化学气相沉积（CVD/ALD）系统，RTP 设备温域宽、真空性能优，CVD/ALD 系统创新采用先进汽化器。凭借可靠品质、卓越性能与成本优势，ANNEALSYS 获全球研发实验室及生产企业青睐，持续以创新推动行业发展。

产品优势

1、技术领先：快速热加工（RTP）设备温度范围广，真空性能出色，部分型号可实现 2000°C 高温运行；化学气相沉积（CVD/ALD）系统搭载先进汽化器，可利用特殊化学前驱体。

2、应用广泛：设备适用于半导体、纳米技术等多领域，能满足欧姆接触退火、石墨烯化学气相沉积、多金属氧化物沉积等多样化工艺需求。

3、品质可靠：产品性能稳定，为全球研发实验室和生产企业提供高质量设备，保障科研与生产的顺利进行。

4、性价比高：兼具卓越性能与成本优势，可帮助客户降低运营成本，提升经济效益。

产品介绍

1、Annealsys 快速热处理 （RTP） 炉具有扩展的温度范围和真空能力，可满足各种应用的需求。

2、红外灯炉可在高达 1450°C 的温度下进行退火，在 1200°C 下可进行长达 1 小时的退火。 高温 Zenith 系统可以在 2000°C 下运行工艺 1 小时。

3、应用包括快速热退火 （RTA） 工艺，如欧姆接触退火和注入退火，以及石墨烯或六方氮化硼 （h-BN） 的快速热化学气相沉积 （RTCVD）。

4、这些多功能 RTP 系统可以通过手动加载或盒式机器人处理来处理直径从几毫米到 200 毫米的样品，包括用于处理带基座的化合物半导体晶片的定制解决方案。

型号和技术规格

1、2 英寸快速热处理器 JetLight

①2 英寸快速热处理器 JetLight 是一款紧凑型台式 2 英寸快速热处理器，具有真空功能，专用于研究应用。它可以处理从几平方毫米到直径 2 英寸的基板。可选的基座可用于容纳小样品和处理红外吸收率低的基底。
②带有不锈钢法兰和管状红外卤素灯炉的石英管工艺室允许运行高达 1000°C 的工艺。
③带有石英托盘的水平运动门为晶圆的装卸和热电偶安装提供了方便的通道。

2、AS-Micro经济型3英寸快速热处理系统

①可以做大气压或真空下执行各种快速热退火工艺

②是一款紧凑型台式 3 英寸快速热处理器，具有真空功能，专用于研究应用。它可以加工从几平方毫米到直径 3 英寸或正方形的基板。可选的基座可用于容纳小样品和处理红外吸收率低的基底。

③带有不锈钢法兰和管状红外卤素灯炉的石英管工艺室允许以非常快的升温速率 （> 250°C/s） 运行高达 1250°C 的工艺。最先进的温度控制器提供精确的温度控制。

④带有石英托盘的水平运动门为晶圆的装载和热电偶安装提供了方便的通道。

3、AS-One RTP 系统

①可用于处理直径达100mm或150mm的基板。

②Annealsys AS-One 系统提供两种尺寸的反应器，可处理直径达 100 毫米（4 英寸）的 AS-One 100 或 150 毫米（6 英寸）的基板（AS-One Plus）。该机器是专门为满足研究实验室和小规模生产的要求而开发的。高可靠性保证了低拥有成本。落地式配置和减少的占地面积使其易于安装在洁净室中，并易于维护。

③AS-One 系统具有不锈钢冷壁工艺腔室，可实现更好的工艺可重复性和更高的冷却速率。工艺腔体的特殊设计为快速泵送和吹扫提供了低容量，并且工艺气体消耗量低。

④高温计和热电偶温度测量是标准功能。快速数字 PID 控制器可在整个温度范围内提供准确且可重复的热控制。

⑤工艺腔室的蛤壳式设计使其能够完全接触到底板，便于装卸基材，并对腔室进行实际清洁。

4、AS-Premium 双面加热退火系统

①为使用碳化硅涂层基座对化合物半导体晶片进行退火而开发

②带有负载锁和涡轮分子泵的 AS-Premium 反应器为硅平滑和其他氧敏感工艺提供无氧环境。

③Annealsys AS-Premium 系统可以处理直径达 150 mm 或 156x156 mm² 的样品。

④反应器平台和设备的设计可容纳各种配置，以满足客户在工艺方面的要求。

⑤腔室可以容纳单面或双面灯加热炉。工艺室的设计允许手动加载并连接到集群工具或手套箱（选项）。

⑥高温计和热电偶温度控制是标准功能。快速数字 PID 温度控制器提供高温重现性。

⑦石墨和碳化硅涂层石墨基座可用于处理封装样品。

5、AS-Master 系列快速热处理系统

①适用于生产应用的完美RTP系统

②AS-Master 是完美的 RTP 系统，适用于具有盒到盒装载系统的生产应用。手动加载版本可用于工艺开发。

③Annealsys AS-Master 快速热处理器是一种高度通用的工具，适用于从退火到快速热化学气相沉积的广泛工艺。

④高温版本可以在高达 1450°C 的温度下运行退火工艺，并允许开发新工艺。冷壁室技术在超洁净和无污染的环境中提供高工艺可重复性。

⑤扩展的温度范围、真空性能（气氛至 10-6 Torr）和气体混合能力使 AS-Master 适用于各种 RTP 和 RTCVD 工艺。

⑥Loadlock 和 Cluster 工具模块版本可用于提高过程环境的清洁度。手动加载和卡匣到卡匣版本使系统适用于工艺开发和轻松转移到生产中。

6、Jipelec JetFirst 300

①JetFirst系统专为满足大学、研发中心和小规模生产单位的要求而开发。

②框架设计允许轻松安装在客户设施中。

③JetFirst 箱式反应器允许接收直径达 12 英寸的样品。12 英寸反应室专为 8 英寸样品而设计和优化。具体来说，12 英寸晶圆处理主要用于研发目的（如 12 英寸晶圆采样等）。

④JetFirst 系统使用两个温度测量传感器：光学高温计和热电偶。这些传感器是系统的标准配置。Jipelec 系统允许对客户样品的光学高温计进行准确和简单的校准。

⑤我们的快速 PID 系统在整个温度范围内提供准确且可重复的热控制。此外，我们的软件还包括一个自动调谐程序，允许为客户过程轻松定义 PID 参数

7、Zenith 系列

①Zenith 是高温RTP系统，可在2000℃下运行一小时

②Zenith 系统有两种尺寸可供选择：Zenith 100 用于加工直径达 100 mm 的晶圆，Zenith 200 用于在高达 2000°C 的温度下处理直径达 200 mm 的样品。 Thay 是专门为满足大学研究实验室的要求而开发的。

③该系统有一个不锈钢水冷室。冷壁室技术具有显著的优势：高工艺可重复性、低记忆效应、更高的冷却速率。

④高温钨加热器提供增强的温度均匀性。该系统与氧化气氛不兼容，必须安装涡轮分子泵。

⑤高温计和热电偶温度测量均为标准功能。快速数字 PID 温度控制器提供高而稳定的温度可重复性 （± 1°C）。该系统可确保在整个温度范围内实现准确且可重复的热控制。

⑤设计工艺室可轻松装卸基板以及热电偶的安装。

应用领域

• 半导体制造：用于离子注入退火、欧姆接触退火、快速热氧化、快速热氮化、硅化物形成以及石墨烯 CVD 生长等。
• 太阳能电池制造：如 CIGS 太阳能电池制备中的硒化工艺，以及硅基太阳能电池的工艺优化。
• 微机电系统（MEMS）：用于 MEMS 器件制造中的薄膜退火和封装工艺。
• 材料科学研究：可用于研究材料中 dopants 扩散行为、聚合物材料热退火，以及新型半导体材料、二维材料的热性能和相变行为等。